Quadranten-Photodioden sind Einzelbauelemente mit in der Regel vier getrennten, optisch aktiven Flächen, die über einen schmalen Gap-Bereich getrennt sind. Diese Photodioden werden zur Positionsdetektion von Laserstrahlen, in Kollimatoren und vielen weiteren Justageanwendungen eingesetzt.
Spezielle Eigenschaften
| Artikel # | Chip | Gehäuse | Aktive Fläche Größe (mm) / Fläche (mm²) |
Gap (µm) |
Dunkel- strom (nA); 10 V |
Kapa- zität (pf); 10 V |
Anstiegs- zeit (ns); 850 nm, 10 V, 50 Ω |
| 5000029 | QP1-6 | TO52 | Ø 1.13 / 4x0.25 | 16 | 0.1* | 1 | 20 |
| 3004334 | QP50-6 | TO8S | Ø 7.8 / 4x12.5 | 42 | 2.0* | 25 | 40 |
| Artikel # | Gehäuse | Aktive Fläche Größe (mm) / Fläche (mm²) |
| 5000029 | TO52 | Ø 1.13 / 4x0.25 |
| 3004334 | TO8S | Ø 7.8 / 4x12.5 |
| Artikel # | Chip | Gehäuse | Aktive Fläche Größe (mm) / Fläche (mm²) |
Dunkel- strom (nA); 150 V |
Anstiegs- zeit (ns); 1064 nm, 180 V, 50 Ω |
| 3001177 | QP22-Q | TO8S | Ø 5.3 / 4×5.7 | 1.5* | 12 |
| 3001275 | QP45-Q | TO8Si with heater | 6.7×6.7 / 4×10.96 | 8* | 12 |
| 3001386 | QP154-Q | TO1032i | Ø 14.0 / 4×38.5 | 10* | 12 |
| 3001433 | QP154-Q | TO1081i with heater | Ø 14.0 / 4×38.5 | 10* | 12 |
| Artikel # | Gehäuse | Aktive Fläche Größe (mm) / Fläche(mm²) |
| 3001177 | TO8S | Ø 5.3 / 4×5.7 |
| 3001275 | TO8Si with heater | 6.7×6.7 / 4×10.96 |
| 3001386 | TO1032i | Ø 14.0 / 4×38.5 |
| 3001433 | TO1081i with heater | Ø 14.0 / 4×38.5 |
| Artikel # | Chip | Gehäuse | Aktive Fläche Größe (mm) / Fläche(mm²) |
| 5000021 | QP45-Q | HVSD | 6.7×6.7 / 4×10.96 |
| 5000010 | QP50-6 (42 µm) | SD2 | Ø 7.8 / 4×11.78 |
| 5000023 | QP154-Q | HVSD | Ø 14.0 / 4×38.5 |
| Artikel # | Chip | Gehäuse |
| 5000021 | QP45-Q | HVSD |
| 5000010 | QP50-6 (42 µm) | SD2 |
| 5000023 | QP154-Q | HVSD |
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